该著作系统研究了磁控溅射法制备InN、AlN薄膜材料的电学、光学等物理特性。首先对薄膜材料进行研究。通过优化溅射参数，得到具有不同性质的InN薄膜材料，使其作为电子注入层制备出不同类型的InN基光电器件，并对器件的光电特性进行深入分析研究。其次对AlN薄膜材料进行研究。通过优化溅射参数得到高质量的AlN薄膜材料，在此基础上，将AlN薄膜用作InN薄膜材料的缓冲层，制备出相关的异质结器件，并研究其对器件载流子传输特性的影响。进一步制备出Aui-AlNn-GaNMIS结构器件，并对器件的工作机理展开研究。