本书是作者近年来在对低维纳米材料的电子结构、磁特性以及自旋轨道耦合效应研究的基础上撰写而成, 系统地介绍了二维III-VI族化合物的自旋相关特性。全书共分7章, 主要内容包括: 相关材料的研究背景及理论方法, 二维NIIIXVI (N=Ga, In; X=S, Se, Te) 单层Rashba自旋劈裂的电场调控, 极性XABY (A, B=Ga, In; X≠Y=S, Se, Te) 中显著的Rashba自旋劈裂, II型Sb/InSe范德华异质结中Rashba自旋劈裂的偶极子控制, InSe/MTe2 (M=Pd, Pt) 范德华异质结的可调谐电子、光学和自旋电子特性及InTe/PtSe2异质结中Rashba自旋劈裂效应。