Ⅲ族氮化物半导体材料及其在光电和电子器件中的应用 简介
III族氮化物材料是继第一代和第二代半导体材料后发展起来的第三代半导体的典型材料。它具有禁带宽度大且可调、击穿电压高、载流子迁移率高等优异的物理性质, 使其在光电器件和电子器件领域有重要的应用, 是当前国内外研究的热点材料。并列题名： Ⅲ-nitride semiconductor materials and their applications in optoelectronic and electronic devices eng
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