近年来, 以氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等宽禁带半导体化合物为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。第三代半导体材料广泛应用于新一代移动通信、新能源汽车、物联网和国防电子等产业, 已成为国际半导体领域的重点研究方向。本书主要介绍垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工艺、特性和可靠性等相关技术, 内容涵盖垂直型和横向功率半导体器件的比较, GaN和SiC的物理性质、外延生长、制备工艺, 主要器件结构与特性, 以及垂直型GaN和SiC器件的可靠性研究等。并列题名：Vertical GaN and SiC power devices eng