本书分为两部分，第一部分深入、细致地研究了三个选项对器件、基本电路各种性能的影响；对于诸如速度饱和、垂直电场迁移率减小、漏致势垒降低等短沟道效应以及热噪声、闪烁噪声和失配等高阶效应对器件和电路性能的影响给出较为深入、详细的介绍；第二部分采用CMOS工艺结合典型电路（运算跨导放大器和微功耗， 低噪声前置放大器）设计进行实例介绍， 给出了各种情况下电路优化设计的结果和相应的分析。并列题名：Tradeoffs and optimization in analog CMOS design eng