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碳化硅功率器件:特性、测试和应用技术 简介
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法以及应用技术, 概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9个章节, 分别为功率半导体器件的基础, SiC MOSFET参数解读、测试及应用, 双脉冲测试, SiC与Si器件特性对比, 高di/dt影响与应对-关断电压尖峰, 高dv/dt影响与应对-crosstalk, 共模电流的影响与应对, 共源极电感的影响与应对及驱动电路设计。并列题名： Silicon carbide power semiconductor devices eng
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