本书介绍了通过调控氧化锌的导电特性, 可控地制备出电子导电和空穴导电的n型和p型半导体薄膜材料, 并系统展示了硅基衬底上氧化锌同质p-n结的结构、光学和电学特性。研究表明, 采用在氧化锌器件结构中插入ZnMgO (简称ZMO) 多量子势垒层这一技术会明显地提高穿过结界面的载流子浓度和电子传输速率, 初步解决了氧化锌基发光器件的高增益问题, 为氧化锌p-n结器件的应用提供了一个可行的技术方案。