GaN基宽禁带半导体异质结构具有很高的应用价值, 是发展高频、高功率电子器件最优选的半导体材料。本书基于国内外GaN基电子材料和器件的发展现状和趋势, 从晶体结构、能带结构、衬底材料、外延生长、射频电子器件和功率电子器件研制等方面详细论述了GaN基半导体异质结构和二维电子气的物理性质、国内外发展动态、面临的关键科学技术问题、主要的材料和器件研发成果及其应用情况和发展前景。并列题名：GaN based semiconductor heterostructures and two dimensional electron gas eng