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纳米级CMOS超大规模集成电路可制造性设计 简介
本书的内容包括: CMOSVLSI电路设计的技术趋势; 半导体制造技术; 光刻技术; 工艺和器件的扰动和缺陷分析与建模; 面向可制造性的物理设计技术; 测量、制造缺陷和缺陷提取; 缺陷影响的建模和合格率提高技术; 物理设计和可靠性; DFM工具和DFM方法。
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